增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用，耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极N沟道的MOS管需要正的Vds和正的Vt，而P沟道的MOS管需要...