flash芯片可以擦写多少次

Flash型FPGA的本征态电流控制技术研究Flash型FPGA基于Sense-Switch结构的flash开关单元组成的可编程布线开关矩阵，通过选择不同的信号通路来实现用户的逻辑功能。由于flash属于非易失性存储，电路掉电后信息不丢失，因此flash型FPGA启动速度快，上电后电路能够快速的进入工作状态，从实现flash开关单元的器件类型来说，根据不同的flash型FPGA应用背景，有N沟道flash和P沟道flash可选。

所以基于P沟道技术的flash型FPGA更适合应用于航天航空的信号处理和信号控制领域。然而，flash型FPGA芯片在制造过程中工艺会将少量电子带入到flash的浮栅中，内部残留的负电荷会使P沟道的flash处于本征弱导通状态，每个flash的源漏之间存在A级的导通电流。

同一个区域可以擦写10万次左右。擦写多了以后会损坏。同一个区域可以擦写10万次左右。擦写多了以后会损坏。做个运动控制，每执行一次前都需要采集上次运动完的数据，需要下电后自动记忆，寿命至少在千万次以上WT588d语音芯片是可外挂FLASH，可重复擦写的一款语音芯片，WT588D音质较好，控制灵活的特点，更增加了可播放MIDI和弦功能，性能更好。

WT588D系列语音单片机是广州唯创电子有限公司联合台湾华邦共同研发出来的集单片机和语音电路于一体的可编辑语音芯片。功能多音质好应用范围广性能稳定是WT588D系列语音单片机的特长，弥补了以往各类语音芯片应用领域狭小的缺陷，MP3控制模式、按键控制模式、按键组合控制模式、并口控制模式、一线串口控制模式、三线串口控制模式以及三线串口控制控制端口扩展输出模式，让应用人员能将产品投放在几乎可以想象得到的场所。

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

同一地址的Flash空间不能连续写两次数据，而必须遵守先擦除再写入的原则，这是由Flash的工作机制决定的，即Flash的每一位只能由1写成0而不能由0写成1（具体原理，google一下就了然了），所以如果想向某一个地址的Flash空间写入数据则必须先将其擦写成全1然后再写入数据（是1的位不动，是0的位则写0）。不过Flash的最小擦除单位不是字节而是扇区（Sector），而不同的芯片其Sector的大小也不一样，比如KinetisK系列，其SectorSize为2048个字节，L系列为1024个字节，而E系列则为512个字节。