如何提高载流子迁移率,载流子的迁移率的物理意义是什么

随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到90nm及以下时，短沟道效应中的器件亚阈值电流成为妨碍工艺进一步发展的主要因素，尽管提高沟道掺杂浓度可以在一定程度上抑制短沟道效应，然而高掺杂的沟道会增大库伦散射，使载流子迁移率下降，导致器件的速度降低，所以仅仅依靠缩小MOS器件的几何尺寸已经不能很好地提高器件性能，需要一些额外的工艺制程技术来提高器件的电学性能，例如应变硅技术。

例如NMOS的应变材料是SiC，PMOS的应变材料是SiGe。另外，随着源漏的结深的减小，源漏有源区的厚度已经不能满足形成Salicide的最小厚度要求，必须利用新技术RSD技术来增加源漏有源区的厚度。RSD技术是通过外延生长技术，在源漏区嵌入应变材料的同时提高源漏有源区的厚度。图1-21b所示为采用应变硅和RSD技术的MOS管结构图。

主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度，从而影响到载流子浓度和迁移率，结果使得半导体的电导率发生变化。迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于hole。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而hole的迁移率仅为480cm^2/(VS)。

测有机半导体载流子迁移率的方法主要有如下几种:稳态直流电流电压特性法，飞行时间法，瞬态电致发光法，瞬态电致发光法的修正方法即双脉冲方波法和线性增压载流子瞬态法，暗注入空间电荷限制电流，场效应晶体管方法，时间分辨微波传导技术，电压调制毫米波谱，光诱导瞬态斯塔克谱方法。

打开Excel表格，选择菜单栏插入图表柱状图，输入输入载流子迁移率的数据和公式，即可做好柱状图。载流子迁移率知识扩展：电子迁移率（英语：electronmobility）是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子，在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中，另一个类似的物理量称为空穴迁移率（holemobility）。

载流子浓度（1021cm3）和电子迁移率（15~45cm2V1s1）。形成1020至1021cm3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率，这个机理提供了在104Ω，cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。