mos管导通特性:可以工作但不是优秀的产品

MOS管驱动电路在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合，NMOS的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。MOS开关管损失MOS管驱动电路不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Ugs(th)一般NMOSFET的话，这个电压一般是24V之间。不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道，电压往往要上升到10V左右才好，否则通体电阻会比较大。并不一定说VGS要到10V,如果启动电压VGS(th)在0.6左右,

并且有的VGS极限只能到8V,不能加到10V。是的，G极的电压需要24V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为12V,200v以内的一般为24V，200V以上的一般为35V。当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看该型号MOS的DATASHEET，才能用好。300K时，一般N管0.7V左右，P管1V左右我用的是耐压5V的，90nm和0.13um的工艺我还没用过，对它们的阈值电压还不了解。

一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为12V，200v以内的一般为24V，200V以上的一般为35V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。