常用场效应管参数大全对照表,场效应管参数有哪些

N沟道增强型场效应管防接反电路。由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合，以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆可以看到其导通电阻只有27毫欧，下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电。

P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。扩展资料场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFETJFET)和金属氧化物半导体场效应管（metaloxidesemiconductorFET，简称MOSFET）。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

场效应管cs630参数是1200V、630A。查询场效应晶体管说明书得知，CS630场效应管是大功率单向可控硅，其基本参数是:1200V、630A。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。场效应管全称是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效应晶体管。

场效应管A2DEN沟道，市场上印有A2DE的场效应管有两种：SI2312SOT233L封装，参数：20V5AAO3402SOT23封装参数：30V4AA09T：AO3400SOT23封装参数：30V5.8A如果用A09T代换A2DE完全可以。