场效应管如何查参数,如何看场效应管的型号

N沟道增强型场效应管防接反电路。由场效应管制作工艺决定了，场效应管的导通电阻比较小，是现在很常用的开关器件，特别是在大功率的场合，以TO-252封装的IRFR1205为例，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆可以看到其导通电阻只有27毫欧，下图就是一个用N沟道场效应管构成的防接反电。

1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。若要区分，则可根据在源漏之间有一个PN结，通过测量PN结正、反向电阻存在差异，识别S极与D极。将万用表拨到R×100档，用交换表笔法测两次电阻，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻。

10N60：N沟道MOSFET功率，10A600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。1.场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。2.场效应管cs8n60参数：8n60，7.5A，600V，RDS1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS0.73欧。

一种型号的器件，由于制造工艺的问题，产品的参数并不完全相同，这两个数字表示它们可能的数值范围，两值相差越大，表示器件制造时的离散性越大。你买到的个体一定落在这两个数值之间，否则就是残次品，例如某晶体管产品的放大倍数在40300之间，那么40和300就成为最小和最大值，如果大部分落在100附近，还有可能标上一个“典型值”100。