igbt绝缘栅双极型晶体管及igbt功率模块

IGBT绝缘栅双极型晶体管及IGBT功率模块认识IGBT绝缘栅双极型晶体管功率场效应管与双极型管复合后的一种新型复合型器件，它综合了场效应管开关速度快、控制电压低和双极型晶体管电流大、反压高、导通时压降小等优点，是目前颇受欢迎的电力电子器件。目前国外高压IGBT模块的电流/电压容量已达2000A/3300V，采用了易于并联的NPT工艺技术，第四代IGBT产品的饱和压降Uce显著降低，减少了功率损耗美国IR公司生产的WrapIGBT开关速度最快，工作频率最高可达150kHz。

IGBT是由MOSFET与GTR复合而成的，其图形符号如图2-45所示。IGBT是由栅极G、发射极C、集电极E组成的三端口电压控制器件，常用N沟道IGBT内部结构简化等效电路如图2-45所示。IGBT的封装与普通双极型大功率三极管相同，有多种封装形式，如图2-46所示。

充电器充的场效应，管接高压电的那个级应该叫做腹肌。一般是D极，也叫漏极。场效应管引出脚分别称源极(s)漏极(D)栅极(G)一般D接高压。一般情况下是d极接到高电压，s极接负极，管子有字的朝自己从左到右分别是g，d，s，一般都这么排列，最好自己检测一下。

场效应管区分上管下管的方法：上管指的是P沟道一侧的管，下管指的是N沟道一侧的管。只要把场效应管连入电路，给合理的导通电平，能够实现合理放大，那么高电平端接的就是上管。否则就是接反了，高电平接的就是下管。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型（junctionFETJFET)和金属氧化物半导体场效应管（metaloxidesemiconductorFET，简称MOSFET）。

正面面朝自己，从左到右，gds。1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换)，余下的一个管脚即为栅极G。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极，制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧，注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。