,如何判断IGBT是导通还是关断

芯片哥：IGBT作为大功率器件，工程师常用它来作为驱动电机，或者是应用在UPS不间断电源里。有一个问题，IGBT它的栅极控制电路，我们该如何去设计呢?怎么去开发一个电路，控制IGBT的导通和关闭呢？进而控制电机的开启和关停呢？EG3211D这个栅极驱动芯片，或许就是一个不错的解决方案，可以同时控制两个IGBT，而且IGBT的工作电压能承受600V的高。

一般用在变频器.交流电源整流后经过IGBT的连通关断,形成脉冲式的直流电,因为其等效与正弦交流电.所以可以看作是交流电,又因其可改变关断时间所以等效出来的交流正弦波可以改变其频率.....所以一般用来做电机的无级调速呵呵,说得不好.但已经是费尽心机了.。IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。

IGBT不一定要加负压，0V也可以关断，只是加负压关断更快，而且可以防止上下半桥相互影响，避免直通。比如上半桥开通时，下半桥的门极由于米勒电容的存在，会使门极电压抬升，且开通越快，抬升越高，当门极电压采用0V关断时，有可能抬升超过门槛电压Vgeth而使IGBT导通，此时就会发生上下直通，而如果是采用负压关断，因为下半桥在关断时门极电压是负的，比如5V，那么抬升的部分跟负压相抵，很难抬升到门槛电压，就避免了上下直通的风险。

必须在栅极持续加正电压来维持导通。和MOS器件一样，去掉电压就关断了。IGBT,绝缘栅双极型晶体管，把它当作电压驱动的CMOS管就是。N沟道正电压，搜搜就出答案的，IGBT,既具备了CMOS管的高输入电阻，又具备了双极型晶体管的低导通压降。如果想正常可靠工作，不能使用脉冲，应该是：GS加正电压导通，GS加负电压截止。因为其G的高输入阻抗，在测量时在GS加正电压后，GS的电容储存的电荷释放缓慢，即使去掉驱动信号，IGBT也会继续维持导通一会，但这种情况不稳定，尽量不要利用这种特性。