电压型控制器件效应管怕静电!

场效应管开关场效应管是电压型控制器件。场效应管是不是很怕静电,这种场效应管最大电流达50A,如果你的电路中，场效应管的G极对S极之间没有并联一个电阻（10K左右就可以），虽然输入电压断开，这个场效应管仍然是导通的，静电的电压一般都非常高，塑料梳子梳头产生的静电电压就能达到一万伏，远远超过场效应管栅极所能承受的最高电压，因此如果静电打到场效应管上，几乎是毁灭性的破坏。

因为它的输入阻抗太高了，一般能达到tω等级，这样栅极与其它两个电极就构成了一个电容器，可以积累电荷。静电的电压一般都非常高，塑料梳子梳头产生的静电电压就能达到一万伏，远远超过场效应管栅极所能承受的最高电压，因此如果静电打到场效应管上，几乎是毁灭性的破坏。三极管的基极就不同了，它的输入阻抗很小，静电打上去之后并不会分得很高的电压。

要看你的电容多大了我以前做过类似的实验，没用场效应管，用的是继电器，电流大到把500A的继电器都烧坏了。用可控硅吧!根据你图纸的参数，如果不考虑导线和保险丝的电阻，瞬间电流在上千安。实际电路中瞬间电流应不低于500A，10个管子平均分50A,这种场效应管最大电流达50A,按理不会炸。问题是电流没有平均分配，虽然你加了均流电阻，但0.1欧姆太小。

MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

所谓增强型是指：当VGS0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。

分类:教育/科学>>科学技术>>工程技术科学问题描述:使用场效应管来控制电路开闭时，当开时，Rgs>0,GD之间会不会有电流？怎么减少着一电流对受控电路的影响？谢谢！[我实验的结果是：在受控电路（无电源）中串入一个电阻（R100k),结果R两端有大约90mv的电压。不知道是什么原因。]解析:对于JFET来说，有增强型和耗尽型两种，如果是耗尽型，当栅源电压为零时，场效应晶体管导电沟道就是存在的，所以一定会有电流。

如果是mos，也是一样的，因为mos和JFET都有漏电流，pn结也有，我们一般所知道的pn结单向导电性只是忽略了其反响漏电流的影响。如果要减少漏电流的影响的话，第一，从工艺上改进，也就是做更好电学特性的场效应管，比如离子注入或增加栅氧厚度或采取更高介电系数的介质，以调节阈值电压，但这基本是不能做到的，因为我们不是厂家，我们的特殊需求成本太高。

场效应管是电压型控制器件。只要G极加到这个场效应管导通电压，它就会导通，场效应管的另外一个特点是输入阻抗很高。G极开路，场效应管就会呈现导通状态，如果你的电路中，场效应管的G极对S极之间没有并联一个电阻（10K左右就可以），虽然输入电压断开，这个场效应管仍然是导通的。当场效应管的开关电路中串联一个56K电阻，这个电阻在15V的电压下，电流只有0.3mA。