一文看懂!mosfet导通过程和关闭电压

mos管导通过程mosfet的触发导通电压是多少?mos管导通条件?MOSFET导通电压是多少?关闭电压是多少?如果是哪需要多少V这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Ugs(th)一般NMOSFET的话，这个电压一般是24V之间。

mos管栅极和源漏极之间的阻抗很高，漏电流很小，一般认为是不会流向d的。MOS管的特性：1、它的栅极源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电流流向：由漏极d流向源极s。沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。

这个大于小于的，因为是负数，看起来可能不够直观；其实就是|Ugs|>|VT|，场效应管就导通；如果VT为正值时，就是Ugs>VT；管子导通，反之截止；如果VT为负值时，就是Ugs3、P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通...

首先，你的MOS管是耗尽型。因此当你的VGS电压为0V时，管子导通。一楼说错了，大家别学他。这个原理是：在制作管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS有负电压时，即VGS小于0V，那么管子由导通开始慢慢变的截止。至于什么时候截止，看你的VGS电压是多少。比如VGS5V时，管子截止（具体参数看你用的这个MOS管数据手册）。

这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Ugs(th)一般NMOSFET的话，这个电压一般是24V之间。不过要提醒你的是：这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道，电压往往要上升到10V左右才好，否则通体电阻会比较大。并不一定说VGS要到10V,如果启动电压VGS(th)在0.6左右,

并且有的VGS极限只能到8V,不能加到10V。是的，G极的电压需要24V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

分类:教育/科学>>科学技术>>工程技术科学解析:你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

PMOS增强型管：uGuS<0,且|uGuS|>|uGS(th)|，uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uGuS>0，且|uGuS|>|uGS(th)|，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。

关闭电压就是它开启的阀值。MOSFET上的；二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响，N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开；PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。