中国在ai算力芯片方面和国际先进水平有较大差距

中国在AI算力芯片方面和国际先进水平目前有较大的差距，主要体现在技术、制程和产能方面。技术方面，中国要比国际先进水平落后许多，比如芯片容量小、功耗高、功能限制多等，制程技术方面，中国的芯片大部分依赖国外的芯片，包括芯片设计开发、制造工艺、材料制程、测试和技术支持等方面，有较大的依赖性，而产能方面，中国的外延片厂大多停留在10nm及以下，远低于国外水平，这种形势也加剧了中国AI芯片落后的情况。

1.衬底是指蓝宝石晶棒或者是硅经过切片，清洗，还没有其他工艺加工的裸片。也叫基片。\r\r2.外延片是指经过MOCVD加工的片子。\r外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。\r具体流程是衬底结构设计缓冲层生长N型GaN层生长多量子阱发光层生P型GaN层生长退火检测（光荧光、X射线）外延片\r芯片则是最后的工艺，在外延片上进一步加工的来的。

在衬底（蓝宝石、碳化硅、硅等）上采用MOCVD方式生长出外延层（发光层）的圆片成为LED外延片。LED芯片：将LED外延片进行多道工序加工（刻蚀、电极生长、减薄、切割），形成一个个小的发光器件，就是LED芯片。LED外延片是指：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

半导体制造商主要用抛光Si片（PW）和外延Si片作为IC的原材料。20世纪80年代早期开始使用外延片，它具有标准PW所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上，外延片是由Si片制造商生产并自用，在IC中用量不大，它需要在单晶Si片表面上沉积一薄的单晶Si层。一般外延层的厚度为2～20μm，而衬底Si厚度为610μm（150mm直径片和725μm（200mm片）。

单片反应器可生产出质量最好的外延层（厚度、电阻率均匀性好、缺陷少）；这种外延片用于150mm“前沿”产品和所有重要200mm产品的生产。外延产品外延产品应用于4个方面，CMOS互补金属氧化物半导体支持了要求小器件尺寸的前沿工艺，CMOS产品是外延片的最大应用领域，并被IC制造商用于不可恢复器件工艺，包括微处理器和逻辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和DRAM（动态随机存取存储器）。