igbt教程,IGBT如何固定

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车逆变器的IGBT和SiCMOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiCMOSFET间提供接口，它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。

1IGBT流过DS的电流方向是固定的,不会变的.智能是DS方向;2电流的大小是根据驱动电压来决定的.同时也和负载相关.3电压的变化也要根据IGBT工作的状态来决定,不是固定不变.IGBT的一般工作在开关状态.导通的时候,VDS直接电压要参考IGBT特性;一般导通电阻比较小,导通压降也不会太大.大概在0~几付之间.驱动电压在5v~+15v左右.电流通过IGBT，电压、电流大小方向怎么变？

IGBT内部寄生一个PNPN晶闸管，你所说的擎住现象应该指的是lanchup（闩锁），早期八九十年代的PT型IGBT，这种现象较为严重，但因为现在的技术已经有很大提升，尽量避免lanchup的发生，所以目前的IGBT静态下不容易发生lanchup，尽管电流较大（最大至短路电流，饱和电流）。现在的IGBT能够出现lanchup现象，一般是在短路中开关的状态，如果发生短路，电流增至最大，如果IGBT关断动作过硬，会容易导致lanchup的发生。

门极脉冲上升沿增大会导致IGBT开关损耗增大。有两种方法，一种你已经说了，就是减少结电容，对于已经选好的模块，这个已经固定；一种是减少门极驱动电阻，增加充电电流，充电周期时间会减少。对于这两种方法我倾向于第二种，方便，简单。你到底是关注上升时间还是HIGH/LOW两个状态下的振荡问题？从图上来看，上升时间不过2u左右。

对HIGH/LOW状态下的振荡未必有明显作用。当门极电压到达igbt开启电压的时候，igbt开通ic电流开始增加，vce下降，由于米勒电容的存在，此时的门极驱动电压会出现一个平台，如果你的驱动能力不足，这个平台就不是平的，从你的波形看像是这个问题，你可以减小驱动电阻，在推荐值附近就可以了，另一个就是确认下你的电源功率够不够，在驱动侧的电源加些电容也可以试试。