igbt替换mos,更换igbt模块后如何防止再次损坏

一、电压因素：、igbt模块的供电电压过高时，将超出其安全工作范围，导致其击穿损坏、供电电压过低时，使负载能力不足，运行电流加大，运行电机易产生堵转现象，危及igbt模块的安全、供电电压波动，如直流回路滤波电容的失容等，会引起浪涌电流及尖峰电压的产生，对igbt模块的安全运行产生威胁、igbt的控制电压——驱动电压低落时，会导致igbt的欠激励，导通内阻变大，功耗与温度上升，易于损坏igbt模块。

一、死区变窄死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间。影响判断时间的主要因素有：1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因。2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

1、电容失效或漏电：从而引起IGBT损坏。经检查其他元件无问题的时候，更换0.3UF和400V电容。2、IGBT管激励电路异常：震荡电路输出的脉冲信号，不能直接控制IGBT饱和，导通和截止，必须通过激励脉冲信号放大来完成。3、同步电路异常：同步电路的主要作用是保证加到IGBT管G级上的开关脉冲前言与IGBT管上VCE脉冲后延同步当同步电路工作出现异样，导致IGBT管瞬间击穿。

5、散热系统异常：在大电流状态下其发热量也大，如果散热系统出现异常，会导致IGBT过热损坏。6、单片机异常：单片机内部会因为工作频率异常而烧毁IGBT，7、VCE检测电路异常：VCE检测将IGBT官集电极上的脉冲电压通过，电阻分压，此电压的信息变化传到CPU，做出各种相应的指令。当VCE检测电路出现故障的时候，VEC脉冲幅度。