6HN1电子管用什么代换 常用电子管代换:6N3

6EM7电子管可以用什么管代替6gf7？用什么可以代替晶体管8N60C，用什么管可以代替损坏的tk8p65w？7n80可以用什么样的管？7N80和8n60是大功率mos管。6EM7电子管被6gf7电子管取代，6HN1电子管对12AU7，ECC85，6SN7GT等有什么替代作用？电流大于8a，电压大于600v的FET可以替代。

8n60是最常见的N沟道场效应晶体管，也是最容易买到的。电流大于8a，电压大于600v的FET可以替代。10a、600v的10n60也可以用SSS7N60B、T2SK2545(2SK3562)、IRFBC40、STP8NK60ZFP代替。扩展资料:8n60c 1质量的判断。测量场效应晶体管GS极质量时，先将数字万用表设置到二极管位置，测量场效应晶体管GS极。对于一个好的N沟道MOS场效应晶体管，万用表显示的正负读数都是“1”。

如果测量场效应晶体管的GS极非常好，那么就可以测量电子管的DS极。对于一个好的N沟道MOS FET，如果红色探针接D极，黑色探针接S极，万用表显示的读数应该是“1”。如果红色触针连接到S极，黑色触针连接到D极，显示的读数应该是硅二极管的正向压降。测量4N60C时，显示的读数为“510”。此时，它显示为硅二极管的正向电压降，因为在制造N沟道MOS场效应晶体管时，寄生二极管并联连接在N沟道MOS场效应晶体管的漏极和源极之间。

bvd ss 650 vrd son 500mωMOS一般比较适合超结MOS，国外的英飞凌、ST、华晶、Lonten超结晶体管都不错。有相应的型号。晶体管代换可以分为模型代换和参数参考代换。由于种种原因，参数替代更加方便简单。a .型号替代应考虑到每个国家和每个制造商的不同命名方法。比如K3532的标题，日本型号2SK3532。

TO220F，DIP/MOS，N型，900v，6a，2.5ω。重要参数，N场，900V，6A2。根据这个参数可以找到参数比较接近的场效应晶体管，比如2SK353401MR，TO220F，DIP/MOS，N场，900V，7A，2ω，同样的N场和900V，电流7A大于原来的6A。

7n80和8n60是大功率mos晶体管。前者耐压800v，后者耐压600v，一般可以更换。只是7n80的id只有7a。如果充电器电流不是很大，更换也没问题。7N80是7A800V。小的不一定对大的管用，要看你实际用了多少电压。如果实际电压小，也可以更换，但是可靠性不好，最好用大牌管材。电视电源是单端反激式电源，开关管要耐高压，所以最好用同参数的管或者参数更高的管:8N60，

6gf7 .它是复合电子管的晚期型号，不同于早期常见的电压放大管和功率管。6EM7电子管被6gf7电子管取代。才能达到最好的效果。6EM7里面是两个三极管，不完全一样。如果模型不同于原始模型，则可以用具有相似参数和电气特性的模型来代替。

12AU7、ECC85、6SN7GT等。6N1可以代替6H1N，6N1是音乐管。它的低频富有弹性和凝聚力，中频松散自然，高频并不是极其细腻，但却是明显的胆管音，电子管是在密闭容器中产生电流传导，利用电场对真空中电子流的作用，获得信号放大或振荡的电子器件。