深陷阱能级 dnw深阱的物理意义

文言文读什么？1.读什么？2.它们对降低漏电流有什么作用？在CMOS工艺的截面图中，也是为了防止闩锁效应(山锁)。两个高掺杂的触点是衬底和阱的偏置连接点，P中NMOS接gnd，N中PMOS接vdd，还有一个作用似乎是收集衬底上的电流，也就是偏置使电路更加稳定，避免了闩锁和衬底偏置效应引起的阈值电压变化等一系列寄生效应。

/图像-1//图像-2/1。你要说什么？名字，从桶里，号角响起。本义:古代量具的名称也是容量单位，十斗为一，)原意是用来减少漏电流。源漏外接时似乎只有高掺杂才能形成欧姆接触，所以使用，同时也是为了防止闩锁效应(山锁)。两个高掺杂触点是衬底和阱的偏置连接点，NMOS通过P连接gnd，PMOS通过n连接vdd，另一个作用似乎是收集衬底上的电流，也就是偏置使电路更加稳定，避免了闩锁和衬底偏置效应引起的阈值电压变化等一系列寄生效应。