mosfet 电阻

mos输出电阻R和电流有什么关系？MOS晶体管输出电阻和电流有一定的关系。mos管和三极管有什么区别？按照目前的工艺，集成电路中的电阻主要有三种:多晶硅、MOS晶体管电阻和容性电阻；多晶硅电阻器是一种无源电阻器，在非常薄的晶圆上做一个kω电阻，需要占用几倍甚至十几倍的面积，MOS晶体管电阻和容性电阻都是有源电阻，但实际上是等效电阻，例如，如果用场效应晶体管来等效电阻，自然就必须增加一些辅助元件和电路。所以这个等效电阻的体积比单个晶体管和场效应晶体管大几倍，但比多晶硅电阻小很多，为什么H桥驱动芯片输出引脚到MOS晶体管栅极的电阻是2.2K。

真的没必要。导通电阻是温度的函数。根据你的电路，管道的发热量是相当大的(注意电阻的额定功率)，温度必然会升高。结果就是每次的测量结果都不一样。另外，导通电阻往往厂家只给了一个最大值(并注明了测试条件)，而厂家制定的测试条件通常是接近用户实际使用条件的(否则不好卖)。在实际的电子管中，导通电阻可能比制造商给出的值小一半。要知道GS之间施加不同电压时的管电流，参考红线标注的两个参数。

请参考。按照目前的工艺，集成电路中的电阻主要有三种:多晶硅、MOS晶体管电阻和容性电阻；多晶硅电阻器是一种无源电阻器。在非常薄的晶圆上做一个kω电阻，需要占用几倍甚至十几倍的面积。MOS晶体管电阻和容性电阻都是有源电阻，但实际上是等效电阻。例如，如果用场效应晶体管来等效电阻，自然就必须增加一些辅助元件和电路。所以这个等效电阻的体积比单个晶体管和场效应晶体管大几倍，但比多晶硅电阻小很多。

2.2K，太大了。图中的r和D(如Q1上的R20和D4)都是保护电路，R20是在Q1被击穿时保护前面的H桥驱动芯片；D4用于保护Q1免受过高驱动电压(大于20V)造成的损坏。由于Q1是电压驱动的(Igs很小，Ir很小，Vr也很小)，所以R和D基本与Q的输出电流无关。这张图中的电路有错误。管子GS(应该接D)之间没有泄放电阻，所以不可能及时关断管子。它输出的波形将有一个长的下降沿。

transistor的输入电阻比较小，一般在K欧姆的级别；等效电路用电阻表示；MOS晶体管的输入电阻比较大，一般在M欧姆级别；等效电路可以用开路来表示。晶体管是电流控制的输出电流器件，所以输入电阻比较小，MOS一般指MOS场效应晶体管。输出电流受输入电压控制，G极和S极相当于开路，所以输入电阻很大，约为GK ω。首先，你问的概念不是很准确:晶体管包括MOS管。

两者差别还挺多的。使用上的主要区别是mos的内阻比较小，电压型驱动器件的晶体管内阻比较大，是电流型驱动器件。三极管和MOS晶体管在功能上有很多相似之处，但这两个元件有什么区别呢？用一个电路告诉你。MOS晶体管(场效应晶体管)导通电压降低，导通电阻低，栅极驱动不需要电流，损耗低，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻好，适合大功率并联，开关速度低，成本高。

MOS晶体管的导通电阻小，栅极驱动不需要电流，因此造成的损耗小。(1)前起动脚排列为GDS:万用表设二极管，红笔接S，黑笔接d，此时约几百欧姆，测得反接为开路；然后黑笔接D，红笔触碰G将红笔接s，此时如果显示值比之前测量值小很多，说明MOS管是好的。(2)加速过程中，例如电源为24V时，MOS管的栅极电压应为14V:36V，MOS管的栅极电压应为26V。

如果电压不降，电机不转，说明MOS本身开路。(3)将万用表设置为R×l0k，红色唱针接S脚，黑色唱针接D脚；然后红色手写笔接S引脚，黑色手写笔接G引脚。MOS管的漏源电阻应该表示为∞，证明MOS管完好无损。如果指示值很小或为0，则表示管道已经损坏。(4)红色触针连接到漏极(D)，黑色触针连接到源极(S)。内部续流二极管导通，呈现二极管特性，阻值接近0，不应视为MOS管损坏；倒置红黑笔测试S极和D极为∞，即应视为完好。

MOS晶体管的输出电阻与电流有一定的关系。在理想条件下，MOS晶体管的输出电阻是一个常数，与电流无关。但在实际情况下，由于MOS管内部结构的复杂性等因素，输出电阻会有一定程度的变化。通常，当MOS晶体管处于饱和区时，输出电阻相对较小，基本稳定。当电流增大时，输出电阻可能会略有增加，但变化不大。这是因为在饱和区，MOS管的导通主要受栅压控制，而输出电阻与栅压有关，与电流关系较小。

这是因为MOS晶体管的导通在这个工作区域主要由栅电压和漏源电压控制，输出电阻会受到漏源电压的影响。需要注意的是，MOS晶体管的输出电阻还会受到温度、工艺参数、频率等因素的影响，因此，在实际应用中，为了准确估算MOS晶体管的输出电阻，需要考虑多种因素的综合影响，并进行实际测量。