二极N型半导体的多子是什么,P型半导体的多价离子是什么?

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。N型半导体也称电子型半导体,指自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体,参杂磷等Ⅴ族元素。N型半导体N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

在p型半导体中,特定的杂质原子(如硼)被掺杂到硅或锗晶体中。P型半导体多数载流子为空穴的半导体。型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等。P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。多数载流子:P型半导体中。

在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子。第一问:对于N型半导体,自由电子是多数载流子(多子)——杂质原子提供,空穴是少数载流子(少子)——热激发形成;而P型半导体,空穴是多子——掺杂形成。N型半导体多子为电子,即电子导电,所以要向其中加入五价的元素,N型半导体多子为电子,即电子导电,所以要向其中加入五价的元素。

在PN结中,当P型半导体与N型半导体结合时。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。(两种半导体接触在一起的点或面构成PN结。二极管是双极性器件双极性器件是由两种类型的载流子(自由电子与空穴)进行工作的器件叫双极型器件。二极管中,P区多子(空穴)浓度高于N区。

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电。2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:PN结是由P型半导体和N型半导体构成的。在P区多数载流子是空穴,同时有少数载流子(就是电子)存在。在外电场作用下,多子将向PN结移动,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱。pn结形成的过程是扩散→内建电场→漂移作用→形成pn结,在扩散环节,p区空穴多子向n区扩散,空穴扩散到n区成为少子,与n区电子复合,在p区留下带负电荷的离子。