为什么选择65k或者100k作为开关频率?

开关电源问题一:我们小功率用到最多的反激电源，为什么我们常常选择65K或者100K作为开关频率？有哪些原因制约了？或者哪些情况下我们可以增大开关频率？或者减小开关频率？开关电源为什么常常选择65K或者100K左右范围作为开关频率，有的人会说IC厂家都是生产这样的IC，当然这也有原因。每个电源的开关频率会决定什么？应该从这里去思考原因。

你写错了，应该是IGBT。IGBT与MOS管都是栅电压控制漏电流的，电压控制电流型器件。二者的区别在于，IGBT是双极型器件，也就是在其导通时，是两种载流子同时参与导电；而MOS管是单极型器件，导通时，只有一种载流子参与导电。相比较说来，IGBT的工作频率比MOS管的工作频率低，但比一般BJT的工作频率要高，但电流处理能力比MOS管强，适用于中等电压中等电流；

48V到60V。根据查询《MOS管场效应管ST/75N75硅n沟道场效应管》显示，75n75参数是：电流80A/耐压80V，漏源电压80M，栅源电压±25V，连续漏电流80A/70A，脉冲漏电流340A，最低工作频率范围48V到60V。脉冲通常是指电子技术中经常运用的一种像脉搏似的短暂起伏的电冲击。

主要是匹配MOS管，频率越高，MOS管的损耗越高（简单形象的理解就是：随着频率的提升，单位时间里面的开关次数增加了，所以MOSFET的开关损耗也增大了。）配个图给你看下频率和mos管损耗的关系：亲，推荐个《开关电源的频率响应》书看下。我觉得对我自己搞开关电源是有帮助的。要考虑开关损耗、磁芯损耗。100KHz不算高。MOS管的开关频率高了，发热就严重，很容易烧坏MOS管，还有，工作频率高了，干扰也大，对传导和辐射都有影响。

资料我没看，如果是耐压20V的话真的是有点低了，P沟道的话你可以结成不用变压器的BUCK电路，当然，驱动电路得经过一些处理。SI2301，P沟道MOS管，耐压20V，电流2.8A，峰值电流10A，耐压太低，用在某些低输入电压的DC/DC变换器上还可以，一般开关电源都用高耐压N沟道MOS管，它就不合适了。